100A、30V N沟道增强型场效应管-SVT035R5ND
产品分类： Normal Trench LVMOS
SVT035R5ND(MJ)(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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100A、30V N沟道增强型场效应管-SVT035R5ND
一、描述
SVT035R5ND(MJ)(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
二、特点
100A，30V，Rps(on) (典型值> =4.0mS@Vss=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
三、封装信息
四、产品命名规则
五、产品规格分类
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