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100A、30V N沟道增强型场效应管-SVT035R5ND

产品分类: Normal Trench LVMOS
    SVT035R5ND(MJ)(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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      100A、30V N沟道增强型场效应管-SVT035R5ND

       
      一、描述
       
      SVT035R5ND(MJ)(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
       
      该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
       
       
      二、特点
       
      100A,30V,Rps(on) (典型值> =4.0mS@Vss=10V
       
      低栅极电荷量
       
      低反向传输电容
       
      开关速度快
       
      提升了dv/dt能力
       
       
      三、封装信息
       
       
      四、产品命名规则
       
      五、产品规格分类
       
       

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