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10A,100V肖特基整流器--SBD10C100T/F/D/S

产品分类: 芯控源
    SBD10C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
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    1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
    1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
    SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
    2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
    2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
    SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
    7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
    7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
    SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。

       

      10A100V肖特基整流器

       

      型号:SBD10C100T/F/D/S

       

       

       

      一、描述

       

      SBD10C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。

       

      二、特点

       

        具有过压保护的保护环结构

        高电流冲击能力

        低功耗,高效率

        正向压降低

       

      三、最大参数

       

      SBD10C100最大参数

       

      四、封装

      SBD10C100封装

       

           

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      SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
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      2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
      SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
      7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
      7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
      SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
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