10A,200V肖特基整流器--SBD10C200T/F/D
- 1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
- SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
- 2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
- SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
- 7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
- SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
10A,200V肖特基整流器
型号:SBD10C200T/F/D
一、描述
SBD10C200T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
二、特点
具有过压保护的保护环结构
高电流冲击能力
低功耗,高效率
正向压降低
三、最大参数
四、封装
全国咨询热线:18929103949 唐小姐
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