120A、30V N沟道增强型场效应管-SVT034R6ND(T)
产品分类： Normal Trench LVMOS
SVT034R6ND(T) N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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120A、30V N沟道增强型场效应管-SVT034R6ND(T)
一、描述
SVT034R6ND(T) N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
二、特点
120A，30V，Ros(on) (典型优> =3.5mS@Vcs= 10V
低栅极电荷量
低反向传输 电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
三、封装信息
四、关键特性参数
五、产品规格分类
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