11A，600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
产品分类： 士兰微产品
SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器高功率密度，提高热行为。
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11A，600V DP MOS功率管
型号：SVS11N60T/F
一、描述
SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有效果高，高功率密度，提高热行为。此外，SVS11N60T/F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓补。
二、特点
11A,600V,R_DS(on)(典型值)=0.3Ω@V_GS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
三、最大参数
四、封装
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