11A，600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
- 高精密气压、高度传感器--HP206C
- HP206C 是高分辨率（0.1meter）压力传感器，带有 I2C 接口，包括一个硅压阻压力元件和一个高分辨率 24 位△∑ ADC 。HP206C 提供高精度 24 位压力和温度数字输出，客户可以根据应用需要转换速度和高度，所有内置计算采用了高速 4MHz 的浮点运算，计算误差小，数据补偿是内部集成，通讯连接非常简单，高度及温度上下限比较的可编程事件及中断输出控制。HP206C 传感器是采用不锈钢盖子表面封装和符合 RoHS 标准 。
- POWER MOSFET--5N60
- The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
- POWER MOSFET-- 4N60-C
- The UTC 4N60-C is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power TO-251TO-220F2supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
11A，600V DP MOS功率管
型号：SVS11N60T/F
一、描述
SVS11N60T/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有效果高，高功率密度，提高热行为。此外，SVS11N60T/F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓补。
二、特点
11A,600V,R_DS(on)(典型值)=0.3Ω@V_GS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
三、最大参数
四、封装
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- HP206C 是高分辨率（0.1meter）压力传感器，带有 I2C 接口，包括一个硅压阻压力元件和一个高分辨率 24 位△∑ ADC 。HP206C 提供高精度 24 位压力和温度数字输出，客户可以根据应用需要转换速度和高度，所有内置计算采用了高速 4MHz 的浮点运算，计算误差小，数据补偿是内部集成，通讯连接非常简单，高度及温度上下限比较的可编程事件及中断输出控制。HP206C 传感器是采用不锈钢盖子表面封装和符合 RoHS 标准 。
- POWER MOSFET--5N60
- The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
- POWER MOSFET-- 4N60-C
- The UTC 4N60-C is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power TO-251TO-220F2supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
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