47A，600V DP MOS功率管--SVS47N60PN
产品分类： cool mos管
SVS47N60PN N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。
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- 1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
- SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
- 2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
- SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
- 7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
- SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
47A，600V DP MOS功率管
型号：SVS47N60PN
一、描述
SVS47N60PN N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS47N60PN应用广泛。如，适用于硬/软开关拓补。
二、特点
47A,600V,R_DS(on)(典型值)=55mΩ@V_GS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
三、最大参数
四、封装
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