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4A,600V DP MOS功率管--SVS4N60F/D/MJ

产品分类: cool mos管
    SVS4N60F/D/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。
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    1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
    1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
    SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
    2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
    2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
    SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
    7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
    7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
    SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。

       

      4A600V DP MOS功率管

        

       

      型号:SVS4N60F/D/MJ

       

       

       

       

      一、描述

       

      SVS4N60F/D/MJ N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS4N60F/D/MJ应用广泛。如,适用于硬/软开关拓补。

       

      二、特点

       

      4A,600V,R_DS(on)(典型值)=0.82Ω@V_GS=10V

      创新高压技术

      低栅极电荷

      定期额定雪崩

      较强dv/dt能力

      高电流峰值

       

      三、最大参数

       

       

       SVS4N60F 最大参数

       

      四、封装

       

      SVS4N60F 封装

       

       

       

           

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      1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
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      SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
      2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
      2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
      SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
      7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
      7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
      SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
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