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60A、30V N沟道增强型场效应管-SVT03100NDN

产品分类: Normal Trench LVMOS
    SVT03100NDN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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       60A、30V N沟道增强型场效应管-SVT03100NDN

       
      一、描述
       
      SVT03100NDN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
       
      该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
       
       
      二、特点
       
      60A,30V, Ros(on)(典型值)=8.5mS2@Vcs=10V
       
      低栅极电荷量
       
      低反向传输电容
       
      开关速度快
       
      提升了dv/dt能力
       
       
      三、封装订购信息
       
      四、产品命名规则
       
       
      五、产品规格分类
       

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