英飞凌cool mos,超结mos,低内阻场效应管

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产品分类： cool mos管

SVS6N65F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。

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6A，650V DP MOS功率管

型号：SVS6N65F

一、描述

SVS6N65F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS6N65F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓补。

二、特点

6A,650V,R_DS(on)(典型值)=0.8Ω@V_GS=10V

创新高压技术

低栅极电荷

定期额定雪崩

较强dv/dt能力

高电流峰值

三、最大参数

四、封装

SVS6N65F 封装

全国咨询热线：18929103949 唐小姐

　　销售部电话：0769-81150556

　　工程部电话：0769-85638990

QQ：1923681612

　　邮箱：dgzm699@163.com

　　总部地址：东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号

　　佛山办事处：佛山市顺德区容桂镇细滘德宝北路合安街19号

　中铭官网：www.zm699.com

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