7A, 650V超结MOS功率管-SVS7N65F/D/MJ
产品分类： Multi-Epi DPMOS
SVS7N65F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS7N65F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。.
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7A, 650V超结MOS功率管-SVS7N65F/D/MJ
一、描述
SVS7N65F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS7N65F应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。.
二、特点
7A,650V, Ros(on)典型)=0.559@Vss=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
三、封装信息
四、产品规格分类
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