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7A、650V N沟道增强型场效应管--SVF7N65T/F/K/S

产品分类: 新洁能
    SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
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    1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
    1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
    SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
    2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
    2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
    SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
    7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
    7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
    SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。

       

      7A650V N沟道增强型场效应管

       

      型号:SVF7N65T/F/K/S

       

       

       

      一、描述

       

      SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

      该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压HPWM马达驱动。

       

      二、特点

       

        7A650VRDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V     

        低栅极电荷量

        低反向传输电容

        开关速度快 

        提升了dv/dt 能力

       

      三、最大参数

       

       

       SVF7N65F 最大参数

       

       

      四、封装

       

       

       

      SVF7N65F 封装

       

       

       

        全国咨询热线:18929103949 唐小姐

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      SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
      2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
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      SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
      7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
      7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
      SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
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