83A, 600V超结MOS功率管-SVSP60R033P7HD4
产品分类： Multi-Epi DPMOS
SVSP60R033P7HD4 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R033P7HD4 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
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83A, 600V超结MOS功率管-SVSP60R033P7HD4
一、描述
SVSP60R033P7HD4 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP60R033P7HD4 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
二、特点
83A，600V，Ros(on(typ )=28.5mS2@Vcs=10V
创新高压技术.
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值 电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
三、封装信息
四、关键特性参数
五、产品规格分类
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