G2061Q 250V 1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

一、产品概述

G2061Q是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2061Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。G2061Q 浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2061Q为QFN24 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容3.3/5V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压范围8V至20V
高、低侧欠压锁定电路
-- 高侧欠压锁定正向阈值 7.1V
-- 高侧欠压锁定负向阈值 6.9V
-- 低侧欠压锁定正向阈值 7V
-- 低侧欠压锁定负向阈值 6.6V
防直通死区逻辑
-- 死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
-- 开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/120ns
-- 延迟匹配时间小于50ns
宽温度范围-40~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A
符合RoSH标准

三、应用

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

四、封装信息

五、简化示意图