国硅集成250V1.2A 单相高低侧功率半桥栅极驱动芯片G2022
产品分类： 栅极驱动IC
G2022是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2022其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2022采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作
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国硅集成250V1.2A 单相高低侧功率半桥栅极驱动芯片G2022
一、概述
G2022是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2022其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。G2022采用 SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作
二、产品特点
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从5V到20V
集成欠压锁定电路
最高工作电压为+250V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从5V到20V
集成欠压锁定电路
--欠压锁定正向阈值4.4V
--欠压锁定负向阈值4.2V
防直通死区逻辑
防直通死区逻辑
--死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/140ns
--延迟匹配时间50ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
SOIC8 (S）
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
SOIC8 (S）
三、产品应用
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动
四、器件信息
五、典型电路
G2022是国硅集成（WXNSIC）推出的250V单相同相半桥栅极驱动芯片，核心特点为高侧同相/低侧反相逻辑、1.2A/1.5A拉灌驱动、宽压兼容与强抗扰，内置死区与欠压保护，适配N沟道 MOSFET/IGBT，适合半桥拓扑的电机驱动与逆变器等场景。G2022栅极驱动芯片方案应用资料及参考手册请咨询国硅集成代理商东莞市中铭电子，专业的FAE提供技术支持服务。
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