高压高低侧栅极驱动芯片- IS5S609

一、概述

IDS609是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。

二、特征

高侧浮动偏移电压600V

高侧浮动偏移电压600V输入信号兼容3.3V和5Vj逻辑电平

输入信号兼容3.3V和5主播逻辑电平dV/dt抗干扰能力+50V/nsec

DV/DT抗干扰能力+50V/纳秒自举工作的浮地通道

自举工作的浮地通道芯片工作电压范围10V~20V

芯片工作电压范围10V~20V高低侧均具有欠压保护功能

高低侧均具有欠压保护功能输出拉灌电流能力400mA/800mA

输出拉灌电流能力400mA/800mA高低侧通道均延时匹配

高低侧通道均延时匹配死区时间典型值为I80ns

死区时间典型值为I80ns

三、应用领域

中小型功率电机驱动

功率MOSFET或IGBT驱动

半桥功率逆变器

全桥功率逆变器

任意互补驱动转换器

四、封装订购信息

五、典型电路