集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET--PN8161X
- 支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
- PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
- 自供电功能交直流转换芯片--PN8173
- PN8173集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件的交直流转换开关电源。 PN8173内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护 功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8173的降频调制技术有助于EMI特性。
- 用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET电源管理芯片--PN6147
- PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台,非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。
集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET--PN8161X
一 概述
PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能良好的保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的良好效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
二 特性
*内置690V高雪崩能力的功率MOSFET
*准谐振工作
*开关频率125kHz
*外围较简,无需启动电阻及CS检测电阻
*高低压脚位两侧排列提高安全性
*内置启动,空载待机功耗<50mW@230VAC
*EMI的频率调制技术
*供电电压8-40V,适合宽输出电压应用
*全面的保护功能
*过温保护(OTP)
*输出过压保护
*输入欠压保护
*逐周期过流保护(OCP)
*输出开/短路保护
*次级整流管短路保护
*过负载保护(OLP)
三 封装
四 应用电路图
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- PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
- 自供电功能交直流转换芯片--PN8173
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