快恢复反并联二极管--BGF15H60SED
产品分类： IGBT/IPM模块
IGBT in advanced TrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.IGBT在沟道技术中的应用,快恢复反并联二极管.
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- 600V/15A小封装智能功率模块--BIP60015G
- BIP60015G是比亚迪设计开发的600V/15A小封装智能功率模块（IPM-Intelligent Power Module）。该产品有功耗小、封装小、抗干扰能力强等优点。与绝缘栅双极型晶体管（IGBT）相匹配，内部集成了自举二极管、欠压闭锁电路、过流保护电路和IGBT驱动电路，进一步丰富了模块功能，提高了系统的可靠性和稳定性。采用了分立的负端子，可使外围电路独立监测逆变器的每一相电流，使用更灵活。
- 抗干扰能力高智能功率模块--BIPN60015C-IPM模块
- BIPN60015C是比亚迪公司设计开发的智能功率模块(IPM-Intelligent Power Module)。该产品具有封装小、抗干扰能力强等优点;实现了与绝缘栅双极型晶体管( IGBT)的匹配。内部集成了欠压闭锁电路、过流保护电路和驱动电路，进一步提高了系统的可靠性。内置的集成电路(HVIC)提供了无需光耦隔离的驱动功能。由于采用了分立的负端子，可独立监测逆变器的每-相电流。该产品适用于结构紧凑、性能高的交流电机驱动器，如小功率变频器、变频空调等领域。
- 采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式--BG100B12UY3-I
- 比亚迪IGBT功率模块BG100B12UY3-I提供开关特性及高短路能力，采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式。
快恢复反并联二极管--BGF15H60SED
一 概述
IGBT in advanced TrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.
IGBT在沟道技术中的应用,快恢复反并联二极管.
二 特征
Low VCEsat（低VCEsat）
Short circuit withstand time 10μs（短路耐受时间10μs）
Designed for operation between 1-20kHZ（设计用于1-20kHZ之间的操作）
Very tight parameter distribution（参数分布紧密）
High ruggedness, temperature stable behavior（高耐用性，温度稳定性能）
三 封装
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- 600V/15A小封装智能功率模块--BIP60015G
- BIP60015G是比亚迪设计开发的600V/15A小封装智能功率模块（IPM-Intelligent Power Module）。该产品有功耗小、封装小、抗干扰能力强等优点。与绝缘栅双极型晶体管（IGBT）相匹配，内部集成了自举二极管、欠压闭锁电路、过流保护电路和IGBT驱动电路，进一步丰富了模块功能，提高了系统的可靠性和稳定性。采用了分立的负端子，可使外围电路独立监测逆变器的每一相电流，使用更灵活。
- 抗干扰能力高智能功率模块--BIPN60015C-IPM模块
- BIPN60015C是比亚迪公司设计开发的智能功率模块(IPM-Intelligent Power Module)。该产品具有封装小、抗干扰能力强等优点;实现了与绝缘栅双极型晶体管( IGBT)的匹配。内部集成了欠压闭锁电路、过流保护电路和驱动电路，进一步提高了系统的可靠性。内置的集成电路(HVIC)提供了无需光耦隔离的驱动功能。由于采用了分立的负端子，可独立监测逆变器的每-相电流。该产品适用于结构紧凑、性能高的交流电机驱动器，如小功率变频器、变频空调等领域。
- 采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式--BG100B12UY3-I
- 比亚迪IGBT功率模块BG100B12UY3-I提供开关特性及高短路能力，采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式。
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