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MOSFET场效应晶体管-SVF1N60

产品分类: 新洁能
    SVF1N60AM/MJ/B/D/F/HN 沟道增强型高压功率MO场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压 H桥PWM马达驱动。
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    龙腾N渠道650V,20A超级MOS管--LND20N65/LNB20N65
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    Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.
    龙腾N渠道650V,7A超级MOS管--LND7N65D
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    The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.
    龙腾N渠道650V,16A超级MOS管--LND16N65
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    Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.

       

      MOSFET场效应晶体管

       

       

      型号:SVF1N60

       

      一、概述

       

      SVF1N60AM/MJ/B/D/F/HN沟道增强型高压功率MO场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

       

      二、特性

       

        ◆1A,600V,RDS(on)(典型值)=6.8Ω@VGS=10V 

        ◆低栅极电荷量 

        ◆低反向传输电容 

        ◆开关速度快  

        ◆提升了dv/dt能力

       

      三、应用领域

      AC-DC开关电源 AC-DC电源转换器 高压H桥PWM马达驱动

       

      四、封装/订购信息

       

       

      五、命名规则

       

       

      六、产品规格分类

       

       

      七、极限参数

       

       

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