场效应管,MOSFET,MOS管,4A,600V增强型场效应管

首页 » 中铭电子产品中心 » 功率器件 » 新洁能 » MOSFET场效应晶体管-SVF4N60

prevnext

查看全部大图

MOSFET场效应晶体管-SVF4N60

产品分类：新洁能

SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

订购热线：18929103949

跟此产品相关的产品

: 龙腾N渠道650V,20A超级MOS管--LND20N65/LNB20N65; Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.

: 龙腾N渠道650V,7A超级MOS管--LND7N65D; The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.

: 龙腾N渠道650V,16A超级MOS管--LND16N65; Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.

产品详情

MOSFET场效应晶体管

型号：SVF4N60

一、概述

二、特性

　◆4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V

◆低栅极电荷量

◆低反向传输电容

◆开关速度快

◆提升了dv/dt能力

三、应用领域

AC-DC开关电源

AC-DC电源转换器

高压H桥PWM马达驱动

四、封装/订购信息

五、命名规则

六、产品规格分类

七、极限参数

全国咨询热线：18929103949 唐小姐

　　销售部电话：0769-81150556

　　工程部电话：0769-85638990

QQ：1923681612

　　邮箱：dgzm699@163.com

　　总部地址：东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号

　　佛山办事处：佛山市顺德区容桂镇细滘德宝北路合安街19号

　中铭官网：www.zm699.com

场效应管 MOSFET MOS管 4A 600V增强型场效应管

* 表示必填采购：MOSFET场效应晶体管-SVF4N60

* 联系人：	请填写您的真实姓名
公司名称：	请填写您的公司名称
联系电话：
* 手机号码：	请填写您的联系电话
电子邮件：
联系地址：
* 采购意向描述：
	请填写采购的产品数量和产品描述，方便我们进行统一备货。
验证码：

跟此产品相关的产品

: 龙腾N渠道650V,20A超级MOS管--LND20N65/LNB20N65; Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.

: 龙腾N渠道650V,7A超级MOS管--LND7N65D; The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.

: 龙腾N渠道650V,16A超级MOS管--LND16N65; Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.