NSG21814 国硅集成700V半桥高低侧栅极驱动芯片
产品分类： 栅极驱动IC
NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V 。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
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NSG21814国硅集成700V半桥高低侧栅极驱动芯片
一、概述
NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT半桥高低侧栅极驱动芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干
扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，
输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，
输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
二、特性
自举工作的浮动通道
最高工作电压为700V
兼容3.3V,5V和15V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压：10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
最高工作电压为700V
兼容3.3V,5V和15V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压：10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
--欠压锁定正向阈值8.9V
--欠压锁定负向阈值8.2V
芯片开通/关断传输延时
芯片开通/关断传输延时
--Ton/Toff=130ns/130ns）
高低侧延时匹配
驱动电流能力：
高低侧延时匹配
驱动电流能力：
--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
符合RoSH标准
SOIC8 (S)
符合RoSH标准
SOIC8 (S)
三、应用
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动程序
四、封装/订购信息
五、典型电路
NSG21814是国硅集成推出的700V半桥高低侧栅极驱动芯片，最大特点是700V高压浮地+4A对称强驱动±50V/nsec高dv/dt抗扰，且pin?to?pin兼容IR21814，适配高压高频功率变换与电机控制，无需改板即可替换升级。NSG21814半桥高低侧栅极驱动芯片方案应用资料及参考手册请咨询国硅集成代理商东莞市中铭电子，专业的FAE提供技术支持服务
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