NSG27519 4A 带使能的单通道低侧栅极驱动芯片
NSG27519 4A带使能的单通道低侧栅极驱动芯片
一、概述
NSG27519是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27519逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、产品特性
输入输出同相位
兼容 3.3 V、5V、15V 输入逻辑
输入电压范围:-10V~25V
输出拉/灌电流能力:4A/4A
工作范围:5V~25V
高电容负载驱动能力
宽温度范围:-40℃~125℃
欠压锁定
--欠压锁定正向阈值 4.5V
--欠压锁定负向阈值 4.2V
芯片开通/关断延时特性
--Ton/Toff=30ns/30ns
符合RoSH标准
SOT23-5
三、应用
交换式电源、开关变换器
通用栅驱动器
驱动MOSFETs和IGBTs
四、封装信息
五、简化示意图
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销售部电话:0769-81150556
工程部电话:0769-85638990
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