NSG6000R 650V单相高低侧功率MOSFET驱动芯片

一、概述

NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。NSG6000R采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6000R 其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6000R采用 SOP8 封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性

自举工作的浮地通道
最高芯片耐压为+650V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50 V/ns
Vs负偏压能力达-9V
集成VCC、VBS欠压锁定电路
-- VCC欠压锁定阈值 8.7V/7.7V
-- VBS欠压锁定阈值 8.2V/7.3V
内部集成栅电阻，适用于5A以内MOS
防止直通保护
-- 死区时间540ns
宽温度范围-40°C~125°C
符合RoSH标准
SOP8 (S)

三、应用

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

逆变器驱动

四、封装信息

五、简化示意图