NSG6001 650V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

一、概述

NSG6001是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6001采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6001其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6001采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性

自举工作的浮地通道
最高芯片耐压为+650V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
集成 VCC、VBS 欠压锁定电路
-- VCC 欠压锁定阈值 8.7V/7.7V
-- VBS 欠压锁定阈值 8.2V/7.3V
芯片传输延时特性
-- 开通/关断传输延时Ton/Toff=350ns/150ns
-- 延迟匹配时间小于50ns
防止直通保护
-- 死区时间 130ns
宽温度范围-40°C~125°C
符合RoSH标准
SOP8(S)

三、应用

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

逆变器驱动

四、封装信息

五、简化示意图