SJT13003NDB/N NPN型硅三极管
产品分类： 芯控源
SJT3003NDB/N NPN 型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造。
该系列产品主要应用在电子整流器等。
SJT13003NDB/N 三极管目前可提供TO-92-3L和TO-126-3L 封装外形。
订购热线：18929103949
- 1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
- SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
- 2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
- SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
- 7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
- SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
SJT13003NDB/N NPN型硅三极管
型号：SJT13003NDB/N
一、描述
SJT13003NDB/N NPN 型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造。
该系列产品主要应用在电子整流器等。
SJT13003NDB/N 三极管目前可提供TO-92-3L和TO-126-3L 封装外形。
二、特点
- 较小的开关时间
- 高击穿电压
- 低漏电
- 高可靠性
三、极限参数
四、封装/订购信息
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- SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
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- SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
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