SJT13005NT/D/F/M/N NPN型硅三极管
产品分类： 芯控源
SJT13005NT/D/F/M NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造。
该系列产品主要应用在应用整流器等。
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- 1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
- SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
- 2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
- SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
- 7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
- SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
SJT13005NT/D/F/M/N NPN型硅三极管
一、描述
SJT13005NT/D/F/M NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造。
该系列产品主要应用在应用整流器等。
SJT13005NT/D/F/M NPN三极管目前可提供TO-220HW-3L / TO-252-2L / TO-220F-3L / TO-251D-3L 封装外形。
二、特点
较小的开关时间
很高的电压
很小的漏电电流
高可靠性
三、极限参数
四、封装/订购信息
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- SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
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