士兰微38A, 600V 超结 MOS功率管-SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4
产品分类： 超洁MOS管
SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。
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士兰微38A, 600V 超结 MOS功率管
-SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4
一、描述
SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提
高热行为。此外，SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。
二、特点
38A，600V，RDS(on)(typ.)=75m?@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
三、封装
四、关键特性参数
五、产品规格分类
六、极限参数
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