SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 场效应管
产品分类： 超洁MOS管
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SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4场效应管
一、描述
SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功
率密度，提高热行为。此外，SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
二、特点
20A，600V，RDS(on)(typ.)=0.165?@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
三、封装信息
四、关键特性参数
五、产品规格分类
六、极限参数（除非特殊说明，TJ=25?C）
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