SVSP20N60TD2-场效应管
产品分类： 超洁MOS管
SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导.损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
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SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2
一、描述
SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导.损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密
度，提高热行为。此外，SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
二、特点
20A，600V，Ros(on)(禹型w)=0.169@Vcs=10V创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
三、封装信息
四、产品规格分类
五、极限参数
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