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SVSP24N60FJD(T)D2场效应管

产品分类: 超洁MOS管
    SVSP24N60FJD(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为.此外,SVSP24N60FJD(T)D2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
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       SVSP24N60FJD(T)D2场效应管

       

      一、描述

      SVSP24N60FJD(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行

      为.此外,SVSP24N60FJD(T)D2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。

       

      二、特点

       24A,600V,RDS(on)(典型值)=0.14?@VGS=10V

       创新高压技术

       低栅极电荷

       定期额定雪崩

       较强dv/dt能力

       高电流峰值

       

      三、封装信息

       

      四、产品规格分类

      五、极限参数

        全国咨询热线:18929103949 唐小姐

        销售部电话:0769-81150556   

        工程部电话:0769-85638990

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        邮箱:dgzm699@163.com      

       

        总部地址:东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号

        佛山办事处:佛山市顺德区容桂镇细滘德宝北路合安街19号

       

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