SVSP24N60FJD(T)D2场效应管
SVSP24N60FJD(T)D2场效应管
一、描述
SVSP24N60FJD(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行
为.此外,SVSP24N60FJD(T)D2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
二、特点
24A,600V,RDS(on)(典型值)=0.14?@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
三、封装信息
四、产品规格分类
五、极限参数
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销售部电话:0769-81150556
工程部电话:0769-85638990
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