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芯朋微12V0.45A非隔离电源管理芯片-PN8035

产品分类: 非隔离开关电源芯片
    PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8035内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8035的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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    42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
    42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
    AP2962B是一款宽输入范围,CC/CV功能的降压芯片,既可以CV(恒压)输出,也可以CC(恒流)输出。AP2962B高可在230kHz的开关频率下提供2A输出电流。AP2962B不需要使用高成本的精密电流采样电阻,非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻,AP2962B相比传统恒流开关稳压器拥有高的转换效率。
    六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
    六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
    PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
    脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
    脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
    PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。

       

      芯朋微12V0.45A非隔离电源管理芯片-PN8035

       

      一、概述

       

      PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8035内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片

      提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8035的降频调制技术有助于改善EMI特性。

       

      二、产品特征

       

      内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET

      内置高压启动电路

      优化适用于12V输出非隔离应用

      封装半封闭式稳态输出电流450mA@230VAC

      改善EMI的降频调制技术

      优异的负载调整率和工作效率

      全面的保护功能

        过载保护(OLP)

        过温保护(OTP)

        欠压保护(UVLO

       

      三、应用领域

       

      非隔离辅助电源

       

      四、封装订购信息

       

       

      五、典型应用

       

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        销售部电话:0769-81150556   

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      42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
      42V 2A CC/CV降压转换器--AP2962B
      AP2962B是一款宽输入范围,CC/CV功能的降压芯片,既可以CV(恒压)输出,也可以CC(恒流)输出。AP2962B高可在230kHz的开关频率下提供2A输出电流。AP2962B不需要使用高成本的精密电流采样电阻,非常适用于有精确恒流需求的电池和适配器应用场合。通过清除产生功耗的电流采样电阻,AP2962B相比传统恒流开关稳压器拥有高的转换效率。
      六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
      六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
      PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
      脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
      脉宽调制控制器待机功耗交直流转换芯片--PN8145
      PN8145内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。
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