芯朋微授权代理商大电流半桥电机驱动芯片-ID5S606B

一、概述

ID5S606B是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT电机驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。
 

二、特性

高侧浮动偏移电压600V
输入信号兼容3.3V和5V逻辑电平
dV/dt 抗干扰能力±50V/nsec
自举工作的浮地通道
芯片工作电压范围10V~20V
低侧具有欠压保护功能
输出拉灌电流能力300mA/600mA
Vs负电压能力-5V
高低侧通道均延时匹配

三、应用领域

中小型功率电机驱动
功率MOSFET或IGBT驱动
半桥功率逆变器
全桥功率逆变器
任意互补驱动转换器

四、封装/订购信息

五、典型应用

电机驱动芯片ID5S606B方案应用资料及参考手册请咨询芯朋微代理商东莞市中铭电子，专业的FAE提供技术支持服务