系统快速启动、待机功能的非隔离交直流转换芯片--PN8505A
- 外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
- PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2228,封装:SOP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,稳态18V 450mA@220V)
- 内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A
- AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EMI特性。
- 完整的智能化保护功能的交直流电源管理芯片--AP8507
- AP8507基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。
基于高压同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--PN8505A
一 概述
PN8505A基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。
二 特性
内置550V高可靠性MOSFET
高压同步整流架构
内置高压启动
适用于Buck、Buck-Boost架构
输出电压固定为5V
半封闭式稳态输出电流能力200mA@230VAC
改善EMI的降频调制技术
优异的负载调整率和工作效率
全面的保护功能
*过流保护(OCP)
*欠压保护(UVLO)
*过温保护(OTP)
三 应用
*非隔离辅助电源
*家电
*智能家居
四 封装
五 应用电路图
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- PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2228,封装:SOP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,稳态18V 450mA@220V)
- 内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A
- AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EMI特性。
- 完整的智能化保护功能的交直流电源管理芯片--AP8507
- AP8507基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。
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