用于高性能、外围元器件精简待机功耗交直流转换芯片--PN8135H
- 支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
- PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
- 低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H
- PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于75mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效 标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护，同时还集成AC电压过压保护和欠压保护功能，可通过系统分压电阻调节。
- 自供电模块的交直流电源管理芯片--PN8175
- PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 PN8175内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8175的降频调制技术有助于EMI特性。
待机功耗交直流转换芯片--PN8135H
一、概述
二、特征
l 内置800V高雪崩能力的功率MOSFET
l Hi-mode（60kHz PWM）
l Eco-mode（动态PFM）
l Burst-mode（25kHz间歇工作模式）
l EMI的频率调制技术
l 空载待机功耗<50mW@230VAC
l 软启动技术
l 内置高压启动电路
l 内置线电压补偿和斜坡补偿
l 最大开放式输出功率10W@85~265 VAC
l 优异全面的保护功能
² 过温保护(OTP)
² 过载保护(OLP)
² 外部电阻可调式周期过流保护(OCP)
² 过压保护（OVP）
² CS短路保护
三、应用领域
l 机顶盒电源
l 待机电源
l 智能电表
四、封装/订购信息
五、应用电路
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- PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于75mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效 标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护，同时还集成AC电压过压保护和欠压保护功能，可通过系统分压电阻调节。
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