自供电模块,内置800V高压启动交直流电源管理芯片--PN8177
- 同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504
- AP8504基于高ya同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动,实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8504具有EMI特性。
- 外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
- PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2228,封装:SOP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,稳态18V 450mA@220V)
- 低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
自供电模块,内置800V高压启动交直流电源管理芯片--PN8177
一 概述
PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。注:PN8177可替换美国PI的TNY278。(注:可替代进口品牌PI,型号:TNY278,封装形式:DIP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,内阻2.5欧姆,频率124KHz;)
二 特性
■ 内置800V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置启动和自供电电路
■ 适用于反激隔离、反激非隔离等多种架构
■ 无需环路补偿
■ 空载待机功耗<50mW@230VAC(VDD辅助供电)
■ 封闭式稳态输出功率12W@85~265VAC
■ EMI的降频调制技术
■ 优异的负载调整率和工作效率
■ 全面的保护功能
* 过流保护(OCP)
* 过载保护(OLP)
* 过温保护(OTP)
* 欠压保护(UVP)
三 应用
■ 家电
■ LED照明
■ 工业控制
四 封装
五 应用电路图
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- 同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504
- AP8504基于高ya同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动,实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8504具有EMI特性。
- 外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
- PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2228,封装:SOP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,稳态18V 450mA@220V)
- 低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
- PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
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