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国硅集成NSG2136 700V带使能和故障报告的三相半桥驱动芯片
NSG2136是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片,包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能,出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后,过电流故障情况自动清除。[查看]
http://zm699.com/Products/ggjcnsg2213.html3星
国硅集成NSG2153D 600V 自振荡半桥 MOSFET/IGBT 电机驱动芯片
NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET,浮地通道最高工作电压可 达 600V。[查看]
http://zm699.com/Products/ggjcnsg215.html3星
芯朋微电子ID7S625  600V高压半桥驱动芯片
ID7S625半桥驱动芯片是一款基于P衬底、 P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器,具有独立的高低侧输出通道。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动一个N 沟道功率.MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3V。具有大电流输出能力。ID7S625半桥驱动芯片内置的延时匹配功能可以为更好的 适配高频应用。[查看]
http://zm699.com/Products/xpwdzid7s6.html3星
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