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- AGM318MAP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于负载开关及电池保护类电路。[查看]
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- AGM218MAP器件融合先进沟槽型MOSFET工艺与低阻封装设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），适用于负载开关及电池保护场景。[查看]
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- AGM4025Q结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]
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- AGM1010A2结合了先进的超级沟槽II MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]
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- AGM65R180F结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]
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