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支持高边和低边驱动,并且高低侧采用同逻辑控制栅极驱动芯片G2021Q
G2021Q是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动 芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021Q 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单 芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL 逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防 直通的死区逻辑。G2021Q其浮动通道可用于驱动高 压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可 达250V。G2021Q采用 DFN8封装,可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。[查看]
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