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40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60F2P7-IGBT模块
SGT40N60F2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第二代场截止(Field Stop II)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
http://zm699.com/Products/40a6090vjyz.html3星
40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60FD1P7-IGBT模块
SGT40N60FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用穿通工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应.用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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60A、650V绝缘栅双极型晶体管 SGT60U65FD1PN(PT)(P7)-IGBT模块
SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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25A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGT25U120FD1P7-IGBT单管
SGT25U120FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS, SMPS以及PFC等领域。[查看]
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75A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT75T65SDM1P7-IGBT模块
SGT75T65SDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截 止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可 应用于 UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。[查看]
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40A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGTP40V120FDB2P7-IGBT模块
SGTP40V120FDB2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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160A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT160V65S1PW-IGBT模块
SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于车驱,UPS,SMPS等领域。[查看]
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40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60FD2PN-IGBT模块
SGT40N60FD2PN(P7)(PT)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止( Field Stop II)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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50A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT50T65SDM1P7-IGBT模块
SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop I)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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30A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT30T60SDM1P7-IGBT模块
SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop II)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS 以及PFC等领域。[查看]
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20、600V绝缘栅双极型晶体管SGT20T60SDM1P7-IGBT模块
SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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15A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT15T60SD1T/F/S-IGBT模块
SGT15T60SD1T/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop 1)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS,电机应用以及PFC等领域。[查看]
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10A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT10T60SDM1P7-IGBT单管
SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及电机类应用等领域。[查看]
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士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FD1P7-IGBT模块
SGT70N65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop) 工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FDM1P7-IGBT模块
SGT70N65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop )工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。.[查看]
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士兰微SGT60N60FD1 PN/P7/PS/PT-IGBT功率模块
SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止( FieldStop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTP5T60SD1D/F/S
SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]
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40A、1200V绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTQ40T120SDB2P7
SGTQ40T120SDB2P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止(Trench Field Stop IV)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。[查看]
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抗干扰能力高智能功率模块--BIPN60015C-IPM模块
BIPN60015C是比亚迪公司设计开发的智能功率模块(IPM-Intelligent Power Module)。该产品具有封装小、抗干扰能力强等优点;实现了与绝缘栅双极型晶体管( IGBT)的匹配。内部集成了欠压闭锁电路、过流保护电路和驱动电路,进一步提高了系统的可靠性。内置的集成电路(HVIC)提供了无需光耦隔离的驱动功能。由于采用了分立的负端子,可独立监测逆变器的每-相电流。该产品适用于结构紧凑、性能高的交流电机驱动器,如小功率变频器、变频空调等领域。[查看]
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600V/15A小封装智能功率模块--BIP60015G
BIP60015G是比亚迪设计开发的600V/15A小封装智能功率模块(IPM-Intelligent Power Module)。该产品有功耗小、封装小、抗干扰能力强等优点。与绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相匹配,内部集成了自举二极管、欠压闭锁电路、过流保护电路和IGBT驱动电路,进一步丰富了模块功能,提高了系统的可靠性和稳定性。采用了分立的负端子,可使外围电路独立监测逆变器的每一相电流,使用更灵活。[查看]
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