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- SVT10111ND N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。[查看]
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