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- ID2005是一款基于P衬底，P外延工艺的高压，高速功辜MOSFET和IGBT驱动芯片，具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET,工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力.[查看]
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