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- ID2006是-款基于P衬底、P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET,工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力。[查看]
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