PN8775P集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8775P内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8775P的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8182集成PFM控制器以及750V高可靠性MOSFET，用于高性能交直流转换电源。PN8182内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。PN8182内部集成过零检测电路，可输出交流过零信号。PN8182内部集成了输入过压保护功能，当输入电压超过设定的阈值时禁止MOS管开关。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，VDD欠压保护，过载保护，过温保护等。[查看]

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PN8770集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8770内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8770的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8754内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8754根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和BurstMode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8754还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、输出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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PN8757内部集成了多模式PWM控制器及800V高可靠性智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8757根据输入电压、输出电压和负载自适应切换全频PWM、PFM、低频PWM和Burst Mode，实现了全负载范围内的高效率。内置800V高压启动模块，实现了系统快速启动以及超低的待机功耗。频率调制技术充分保证系统良好的EMI表现。优异的软启动功能降低了启机时的功率器件应力。同时，PN8757还提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输入过欠压保护、輸出过载保护、逐周期过流保护、过温保护、输出过压保护等。[查看]

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PN8779集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8779内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8779的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8778集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8778内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8778的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8776集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8776内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8776的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8777集成PFM控制器及750V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8777内置750V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括输入欠压保护、过载保护、过流保护、过温保护、过压保护功能。另外PN8777的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8732内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。[查看]

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NSG6388 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6388采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6388其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。NSG6388采用SOP8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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PN7001L是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001L的输出可以提供3.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播延时典型值为2Ons。该芯片的IN+输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7213是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，低至3.3V。PN7213为最小驱动器跨导而设计的高脉冲电流缓冲级，芯片内置的延时匹配功能可以更好的适配高频应用。浮地通道可用于驱动高侧的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达1200V。[查看]

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PN8560集成超低待机功耗原边控制器及SiC MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8560为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、VDD欠/过压保护、输入过压&欠压保护、输出过压&欠压保护、开环保护和过温保护等。[查看]

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ID7U603是一款基于P衬底P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。其浮动通道驱动器可用于驱动半桥配置中的两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可支持3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。[查看]

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PN7002是一款具有负压输入过流保护的单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7002的输出可以提供2.6A拉/灌电流的峰值电流，且输入信号到输出信号传播延时典型值为50ns。该芯片的IN输入管脚兼容3.3V，5V和15V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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ID2304D是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]

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PN7001是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001的输出可以提供1.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播 延时典型值为2Ons。该芯片的IN输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7766是一款双通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7766的输出可以提供高达3A拉电流和3.5A灌电流的峰值电流脉冲，输入管脚INA、INB兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。[查看]

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XJNG2102是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。XJNG2102采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。XJNG2102其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。 XJNG2102采用SOP8封装，可以在-40℃至125C温度范围内工作。[查看]

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