PN7766是一款双通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7766的输出可以提供高达3A拉电流和3.5A灌电流的峰值电流脉冲，输入管脚INA、INB兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。[查看]

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XJNG2102是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。XJNG2102采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。XJNG2102其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。 XJNG2102采用SOP8封装，可以在-40℃至125C温度范围内工作。[查看]

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PN7735是一款具有保护功能的四通道低侧驱动器，其内部低侧集成了四个N沟道MOSFETs，高侧集成了四个功率二极管，可为电感负载提供续流回路。PN7735每一输出通道，单独输出时可提供1.5A持续输出电流；同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的串行输入接口控制，内部集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。[查看]

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PN7711是一款具有四通道的低侧驱动器，其内部低侧集成了四个具有保护功能的NMOSFET，高侧集成了四个功率二极管，可以为感性负载提供续流回路。每一输出通道，单独输出时可提供1.5A持续输出电流；同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的并行输入接口控制，内部集成了过温保护、输出短路保护等保护电路。[查看]

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AGMH022N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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AGMH4015H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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AGMH035N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。[查看]

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AGM612AP结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM609AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM302D1结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM305AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM605Q 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM40P30A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM405Q结合了先进的超级沟槽II MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM4025Q结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM1010A2结合了先进的超级沟槽II MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM65R180F结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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AGM30P10A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。[查看]

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PN523B集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN523B内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，过温保护。另外PN523B的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8031集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8031内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。 该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8031的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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