NSG6020是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能 力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的门锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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PN3744集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3744内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3744的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN3746集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率作隔离开关电源，PN3746内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3746的降频调制技术有叫于改善EMI特性。[查看]

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PN555M集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN555M内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN555M具有优异的EMI特性。[查看]

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PN3734集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3734内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3734的降频调制技术有助丁改善EMI特性。[查看]

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NSG27526器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管（IGBT）电源开关。NSG27526能够将高达4A拉电流和4A灌电流的高峰值电流脉冲传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为20ns的极小传播延迟。[查看]

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NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21276采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。[查看]

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NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。[查看]

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NSG2065Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT 栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065Q工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效率。[查看]

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G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。[查看]

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NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压可达 700V。可 用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。[查看]

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NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达 600V。[查看]

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PN8141内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。[查看]

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NSH305PQ是一款3A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了3A/500V MOSFET栅极驱动器和自举功能，采用紧凑的PQFN 5×6mm封装，可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。[查看]

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PN8080是内置高压低导通电阻MOSFET的开关稳压器。在单个IC中集成了功率开关、控制逻辑和保护电路。可以用于多种开关稳压应用（例如：副边反馈反激开关电源和正激开关电源》。该转换器非常适用于48V通信电源辅源、POE电源的主电源。PN8080最高可稳定带载6W。[查看]

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PN8081是内置高压低导通电阻MOSFET的开关稳压器。在单个IC中集成了功率开关、控制逻辑和保护电路。可以用于多种开关稳压应用（例如：副边反馈反激开关电源和正激开关电源）。该转换器非常适用于48V通信电源辅源、42V汽车电源和12V输入应用。PN8081最高可稳定带载10W。内置的误差放大器使PN8081在隔离或非隔离应用中，支持次级与初级侧的反馈调节。单芯片集成200V/0.7Ω N沟道功率MOSFET，工作开关频率通过CT管脚调节，且范围达100kHz~1.5MHz。此外，PN8081还集成了输入欠压保护、输入过压保护、最大限流保护、热关断功能、Vcc钳位保护，可在故障发生时及时保护系统。[查看]

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PN8712H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。非常适合工业辅助电源、电源适配器等应用。PN8712H芯片内置智能高压启动模块，无需启动电阻。芯片内部集成误差放大器，可设计于反激非隔离或者隔离应用环境，满足不同的应用需求。芯片通过PWM模式、降频模式、BM模式三种工作模式混合调节，以及特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。驱动优化和频率调制使得芯片具有良好的EMI表现。同时，PN8712H提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括过载保护、逐周期过流保护、VDD过压保护、CS短路保护、过温保护。[查看]

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本产品使用高性能的ARMCortex-M0为内核的32位微控制器，内嵌三相半桥栅极驱 动器与MOSFET。最高工作频率可达96MHz，内置高速存储器，丰富的I/O端口和外设连接到外部总线。本产品包含2个12位的ADC、2个比较器、2个运算放大器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、和2个16位高级定时器。还包含标准的通信接口：1个I2C接口、1个SPI接口和2个UART接口。[查看]

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MM32SPIN023C是MindSPIN旗下的高性能32位运动控制驱动MCU，使用Cortex?-M0为内核，最高工作频率可达60MHz，内置32KB高速存储器，多达14个GPIO；内置3.3V输出的LDO 稳压器、内置连续电流2A的功率 MOSFETs三相驱动电路；集成了1路12位的模数转换器ADC、2路模拟比较器COMP、2路运算放大器OPAMP、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器；1个USART接口可作为UART或SPI通信。本产品系列供电电压为6.5V～18V，工作环境温度范围为-40℃～105℃扩展型。[查看]

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