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NSG10752 100V 单相高侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片
NSG10752是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片NSG10752采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力。NSG10752其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达100V。NSG10752采用SOT23-6封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]
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