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NSG2103 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片
NSG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2103 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2103其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2103采用SOIC8封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]
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