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- PN7103 是一款基于 P衬底、P外延的高压、高速功率 MOSFET和 IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动 2个N型功率 MOSFET或 IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。[查看]
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http://zm699.com/Products/jypcdpwydg.html
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- The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.[查看]
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http://zm699.com/Products/wgzdjqdxpp.html
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- PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构，该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力，传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。[查看]
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http://zm699.com/Products/bqqdxppn71.html
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