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[根栏目]30W-PD快充协议芯片应用方案[ 2024-08-19 10:37 ]
  30W-PD快充协议芯片应用方案     一、概述 该30W-PD快充协议芯片方案由PN8165(A)、PN8307P、AP5811套片组成。PN8165内部集成了准振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源,PN8307P包括同步整流控制器及高雪崩能力内置功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管,AP5811是一款高集成度的快充协议,可支持多种快充协议。   二、特征
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