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40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60FD1P7-IGBT模块
SGT40N60FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用穿通工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应.用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。
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40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60F2P7-IGBT模块
SGT40N60F2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第二代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。
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40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60FD2PN-IGBT模块
SGT40N60FD2PN(P7)(PT)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止( Field Stop II)工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。
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士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FD1P7-IGBT模块
SGT70N65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop) 工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FDM1P7-IGBT模块
SGT70N65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop )工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。.
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士兰微SGT60N60FD1 PN/P7/PS/PT-IGBT功率模块
SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止( FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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