临界导通模式的功率因数校正控制芯片-PN8280

PN8280是- -款功率因数校正(PFC)控制器，可与后级DC-DC通讯实现启动时序和系统的保护。

超低待机功耗的交直流转换电源管理芯片-PN6360H

PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整，PN6360H内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。

超低待机功耗交直流电源管理芯片-PN8773

PN8733电源管理芯片内部集成了脉搏控制控制器和功率率MOSFET，专用于高性能，外国元器件精筒的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调)，过载保护，过压保护，CS短路保护，软启动功能。通辻Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种...

支持连续电流模式同步整流控制芯片PN8601W

PN8601W是一款同步整流控制芯片，主要用于在高性能AC/DC反激系统中驱动次级同步整流MOS管以提升转换效率，适用于CCM、DCM和QR多种工作模式，使系统效率可以满足6级能效标准。

支持连续电流模式内置功率 MOS 同步整流控制芯片-PN8309H

PN8309H同步整流控制芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8309H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8309H集成了极为全面的辅助功能，包含电...

芯朋微代理商专注高性能的快速充电开关电源管理芯片-PN8213

PN8213内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8213根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode,多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降...

高性能快速充电开关电源管理芯片-芯朋微PN8212

PN8212内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8212根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和BM工作模式，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了高压输入时开关变换器进入CCM模式工作，...

带高压启动模块交直流电源管理芯片-PN8211

PN8211 内部集成了电流模式控制器和高压启动 模块，专用于高性能宽输出快速充电器。

芯朋微大功率电源管理芯片-PN8273

PN8273内部集成了电流模式控制器和高压启动模块,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过PWM、PFM、Burst-mode的 三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。

36W带输入电压前馈的准谐振反激工业电源芯片AP8265

AP8265是-款电流模脉宽调制控制器,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片工作于准谐振开关模式，通过检测变压器的消磁信号，芯片使外部功率MOS管在谷底开通。集成的线电压前馈补偿功能可根据输入电压来调整电感峰值电流以保持全电压范围内功率恒定。准谐振工作模式以及轻载条件下的降频模式实现了全电...

服务器辅助电源管理芯片-PN8715H

概述 PN8715H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能，外围元器件精简的交直流转换开关电源。非常适合工业辅助电源、电源适配器等应用。PN8715H芯片内置智能高压启动模块，无需启动电阻。芯片内部集成误差放大器，可设计于反激非隔离或者隔离应用环境，满足不同的应用需求。芯片通过PWM模...

低功耗交直流电源管理芯片PN8192C应用电磁炉电饭煲的电源芯片

PN8192C集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简、低功耗的交直流转换电源。PN8192C内置730V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，过温保护等。

10W内置1200V-MOS管超低待机功耗 交直流电源管理芯片-PN8145T

PN8145T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调) .过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三...

6-8W内置1000V-MOS管超低待机功耗交直流电源管理芯片-PN8143T

PN8143T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。

高精度内置启动PSR无辅助绕组LED恒流驱动芯片—PN8328

PN8328包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高可靠、隔离双绕组、精简外围元器件的中小功率LED照明，该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、TL431，采用了DMOS自供电的技术可节省变压器辅助绕组和启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、Rcs开/短路保...

待机功耗交直流转换芯片--PN8147T

PN8147T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特...

5A 800V N沟道增强型场效应管--SVF5N80F/T/MJ/K

SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003

PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化IGBT驱动，该芯片集成了欠压锁定、过压锁定、IGBT导通时间 控制、IGBT SOA保护以及故障后“软关断”等功能，保障IGBT工作。并且PN7003可与MCU进行故障通信，将故障信号反 馈给MCU，同时接收MCU唤醒或重置信号。

内部集成了脉宽调制控制器交直流转换芯片--PN8147

PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源.

非隔离待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368

PN8368 集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。