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芯朋微开关电源芯片

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: 用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源转换器--PN6775

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非隔离开关电源芯片

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隔离式原边反馈芯片

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隔离式次级反馈芯片

: 低功耗交直流电源管理芯片PN8192C应用电磁炉电饭煲的电源芯片

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: 800V高雪崩能力低待机功耗离线式开关电源IC--AP8022H

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同步整流芯片

: 支持连续电流模式的同步整流控制芯片-PN8600W

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单片机系列/触摸芯片

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: 比亚迪8位单片机国产mcu-BF6910AS10Y SOP16

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: 512KB-32位单片机32F103VEAT7 LQFP100

: 512KB-32位单片机32F103REAT7 LQFP64

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: 128K 32位单片机 32F103RBAT7 LQFP64

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: 64KB-32位单片机-32F103R8AT7 LQFP64

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: 8位家电低功耗mcu-BF7611AM28-SJLX

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: 比亚迪代理商精度12位ADC，家电8位三合一MCU--BF7615CMXX-XXXX触摸芯片

: 带LED/LCD驱动、12bit-ADC、EEPROM的触控MCU--BF7615BMXX-XXXX触摸芯片

: BYD比亚迪家电8位三合一MCU--BF7612DM16触摸芯片

: 家电8位通用MCU--BF7512DMXX

: 含LED驱动、EEPROM、12bit-ADCOPA的触控MCU--BF7613BMXXP触摸芯片

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: 国产32位单片机CortexMO核的MCU--BF7006AMXX系列

: 带LED驱动、EEPROM、12bit-ADC的触控MCU--BF7612BMXX触摸芯片

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Trench IGBT

: 士兰微160A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT160V65S1PW-IGBT模块

: 士兰微代理商40A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGTP40V120FDB2P7-IGBT模块

: 士兰微代理商60A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT60U65FD1PN(PT)(P7)-IGBT模块

: 士兰微代理商25A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGT25U120FD1P7-IGBT单管

: 士兰微代理商75A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT75T65SDM1P7-IGBT模块

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无线快充芯片

: 英集芯代理支持 qi认证的15W无线充电发射控制芯片-IP6823

: 英集芯代理商15W无线充电发射控制芯片-IP6822

: 英集芯一级代理商15W无线充芯片-IP6821

: 英集芯15W无线充电芯片-IP6801用于发射端控制

: 英集芯15W无线充电发射控制芯片-IP6802

: 一芯多充无线充电发射端英集芯15W无线充芯片-IP6862

: 英集芯一级代理商10W无线充电接收芯片-IP6832

: 授权代理商15W英集芯无线充芯片--IP6826

: 具有无线充接收功能的TWS耳机充电仓管理SoC--IP6813

: 集成Qi无线充接收功能的TWS耳机充电仓管理SoC--IP6816

: 符合iphone12低成本、兼.容WPC v1.2.4协议的5W无线充电发射控制器--IP6805U

: 英集芯代理无线充电发射控制芯片 7.5W/10W无线充电板--IP6806

: 兼容WPC的7.5W/10W/15W无线充电发射控制芯片--IP6809

: 英集芯7.5W/10W/15W无线充电芯片--IP6808

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快充协议IC

: 集成TYPEC/PD3.0协议用于USB TYPEC输入端口的快充协议IC-IP2710

: 用于USB端口的快充协议IC--IP2736

: 用于USBC端口的快充协议IC, 符合PD PPS认证--IP2723T

: 用于USB TypeC端口的快充协议IC--IP2723

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车充

: 45W 输出，集成多种快充输出协议的降压 SOC 支持 PD2.0/PD3.0/PPS ,QC2.0/QC3.0/QC3+,AFC,FCP,MTK-IP6537U

: 集双路快充协议输出降压型车充芯片-IP6538

: 最大 36V 输入，集成双口DCP协议的高效同步降压车充芯片-IP6550

: 最大输出 4.8A，集成双路 DCP 协议的高效同步降压转换器--IP6551

: 英集芯支持Type-C PD3.0（PPS）等快充协议的升价压驱动芯片-IP6559

: 集成DCP输出协议的SOC IC--IP6536输出2.4A/3.1A

: 输出22.5W，集成快充输出协议的降压SOC--IP6525S

: 集成Type-C PD3.0(PPS)等14种快充协议的降压芯片--IP6527

: 集成双口Type-C PD3.0(PPS)等14种快充协议的输出SOC IC--IP6528

: 输出 3.4A，集成 DCP输出协议的降压SOC--IP6523S

: 集成双口DCP协议的输出SOC IC芯片--IP6515

: 输出2.4A/3.1A，集成DCP输出协议的SOC IC--IP6503S

: 输出18W,集成快.充输出协议(DCP/QC2.0/QC3.0/FCP/AFC)的降压SOC--IP6525T

: 输出3.1A,集成DCP输出协议的SOC IC--IP6503

: 输出18 W,集成Type -C PD输出和各种快.充输出协议芯片--IP6510

: 英集芯输出 24W，集成各种快充输出快充协议芯片—IP6505

: 输出45W，集成Type-C PD输出和各种快充协议IC--IP6518

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锂电充电/保护IC

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移动电源

: 集成5W无线充发射的3A充电/3A放电移动电源SOC--IP5566

: 支持高低压SCP、双向PD3.0等全部快充协议的移动电源SOC--IP5356

: 符合i12集成无线充电宝SoC问世：双向10W无线充+快.充协议移动电源--IP5568

: 3A充电3.1A放电集成TYPE_C协议移动电源--IP5310

: 支持双向PD3.0快充等多种协议的移动电源SOC--IP5328P

: 2.1A充电2.4A放电高集成度移动电源SOC--IP5306

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国硅集成

: 国硅集成NSG6003 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

: 国硅集成NSG6001 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

: 国硅集成NSG6000R 650V 单相高低侧功率 MOSFET 驱动芯片

: 国硅集成NSG2106 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

: 国硅集成NSG2105 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

: 国硅集成NSG2104 700V 集成自举单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

: 国硅集成NSG2103 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

: 国硅集成NSG27511单通道高速低侧栅极驱动芯片

: 国硅集成NSG2065 250V集成自举的三相栅极驱动芯片

: 国硅集成G2061Q 250V 1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

: 国硅集成NSG21364 700V 带使能和故障报告的三相半桥 IGBT 驱动芯片

: 国硅集成NSG2136 700V 带使能和故障报告的三相半桥 MOSFET 驱动芯片

: 国硅集成NSG10752 100V 单相高侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

: 国硅集成NSG27519 4A 带使能的单通道低侧栅极驱动芯片

: 国硅集成代理商NSG27324双通道4A超高速功率栅极驱动芯片

: 国硅集成NSG4428 双通道 2A 超高速功率开关栅极驱动芯片

: 国硅集成授权代理商NSG4427 双通道 2A 超高速功率栅极驱动器

: 国硅集成代理商NSG4426 双通道 2A 超高速功率开关栅极驱动器

: 国硅集成代理商NSH505PQ 5A, 500V Half-Bridge IPM智能功率模块

: 国硅集成代理商NSH405PQ 4A, 500V Half-Bridge IPM智能功率模块

: 国硅集成代理商NSH803PQ 8A, 300V Half-Bridge IPM智能功率模块

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IGBT/IPM模块

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电机驱动芯片

: 具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003

: 三相半桥驱动芯片-PN7136

: 芯朋微电子ID7S625 600V高压半桥驱动芯片

: 单通道低侧栅极驱动芯片-PN7001L

: 600V高性能半桥驱动- PN7195

: 芯朋微代理600V高性能半桥马达驱动芯片- PN7193

: 四输出通道并行接口低侧驱动器-PN7736

: 功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片--PN7719

: 具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的两通道直流马达驱动芯片--PN7707

: 基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103

: 3段高压驱动电源芯片--PN7336

: 具有功耗睡眠模式的两通道马达驱动芯片--PN7705

: 网格状高压力高功率MOSFET--PN7308

: 网格状高功率MOSFET--PN7303

: 高压力,高功率MOSFET--PN7106A/B

: 高、低驱动程序高功率MOSFET--PN7113

: 高电压,高功率驱动MOSFET--PN7104

: 网格状电机驱动芯片--PN7103

: 高、低驱动程序电机驱动芯片--PN7101

: 高压供电驱动芯片--PN7008A/B

: 120V高、低驱动程序电机驱动芯片--PN7006A/B

: 半桥驱动芯片-PN7103

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PD和QC电源方案

: 临界导通模式的功率因数校正（PFC））控制芯片-PN8280

: 带启动模块准谐振交直流转换芯片--PN8275

: 待机功耗准谐振交直流转换芯片—PN8160

: 36W PWM控制电源芯片-AP8266

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DC-DC芯片

: 临界导通模式的功率因数校正（PFC））控制芯片-PN8280
PN8280是- -款功率因数校正(PFC)控制器，可与后级DC-DC通讯实现启动时序和系统的保护。

: 超低待机功耗的交直流转换电源管理芯片-PN6360H
PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整，PN6360H内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。

: 超低待机功耗交直流电源管理芯片-PN8773
PN8733电源管理芯片内部集成了脉搏控制控制器和功率率MOSFET，专用于高性能，外国元器件精筒的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调)，过载保护，过压保护，CS短路保护，软启动功能。通辻Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三种...

: 支持连续电流模式同步整流控制芯片PN8601W
PN8601W是一款同步整流控制芯片，主要用于在高性能AC/DC反激系统中驱动次级同步整流MOS管以提升转换效率，适用于CCM、DCM和QR多种工作模式，使系统效率可以满足6级能效标准。

: 支持连续电流模式内置功率 MOS 同步整流控制芯片-PN8309H
PN8309H同步整流控制芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8309H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8309H集成了极为全面的辅助功能，包含电...

: 芯朋微代理商专注高性能的快速充电开关电源管理芯片-PN8213
PN8213内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8213根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和Burst Mode,多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降...

: 高性能快速充电开关电源管理芯片-芯朋微PN8212
PN8212内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8212根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-Lock Mode、PFM和BM工作模式，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了高压输入时开关变换器进入CCM模式工作，...

: 带高压启动模块交直流电源管理芯片-PN8211
PN8211 内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能宽输出快速充电器。

: 芯朋微代理大功率电源管理芯片-PN8273
PN8273内部集成了电流模式控制器和高压启动模块,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过PWM、PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。

: 36W带输入电压前馈的准谐振反激工业电源芯片AP8265
AP8265是-款电流模脉宽调制控制器,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片工作于准谐振开关模式，通过检测变压器的消磁信号，芯片使外部功率MOS管在谷底开通。集成的线电压前馈补偿功能可根据输入电压来调整电感峰值电流以保持全电压范围内功率恒定。准谐振工作模式以及轻载条件下的降频模式实现了全电...

: 服务器辅助电源管理芯片-PN8715H
概述 PN8715H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能，外围元器件精简的交直流转换开关电源。非常适合工业辅助电源、电源适配器等应用。PN8715H芯片内置智能高压启动模块，无需启动电阻。芯片内部集成误差放大器，可设计于反激非隔离或者隔离应用环境，满足不同的应用需求。芯片通过PWM模...

: 低功耗交直流电源管理芯片PN8192C应用电磁炉电饭煲的电源芯片
PN8192C集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET，用于高性能、外围元器件精简、低功耗的交直流转换电源。PN8192C内置730V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。同时该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，过温保护等。

: 芯朋微10W内置1200V-MOS管超低待机功耗交直流电源管理芯片-PN8145T
PN8145T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调) .过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode.Eco-mode.Burst-mode的三...

: 芯朋微6-8W内置1000V-MOS管超低待机功耗交直流电源管理芯片-PN8143T
PN8143T电源管理芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。

: 高精度内置启动PSR无辅助绕组LED恒流驱动芯片—PN8328
PN8328包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高可靠、隔离双绕组、精简外围元器件的中小功率LED照明，该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、TL431，采用了DMOS自供电的技术可节省变压器辅助绕组和启动电阻。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温保护、Rcs开/短路保...

: 待机功耗交直流转换芯片--PN8147T
PN8147T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特...

: 5A 800V N沟道增强型场效应管--SVF5N80F/T/MJ/K
SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

: 具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003
PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化IGBT驱动，该芯片集成了欠压锁定、过压锁定、IGBT导通时间控制、IGBT SOA保护以及故障后“软关断”等功能，保障IGBT工作。并且PN7003可与MCU进行故障通信，将故障信号反馈给MCU，同时接收MCU唤醒或重置信号。

: 内部集成了脉宽调制控制器交直流转换芯片--PN8147
PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源.

: 非隔离待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368
PN8368 集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。

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