30A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT30T60SDM1P7-IGBT模块

SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS 以及PFC等领域。

20、600V绝缘栅双极型晶体管SGT20T60SDM1P7-IGBT模块

SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

15A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT15T60SD1T/F/S-IGBT模块

SGT15T60SD1T/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop 1)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS，电机应用以及PFC等领域。

10A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT10T60SDM1P7-IGBT单管

SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及电机类应用等领域。

士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FD1P7-IGBT模块

SGT70N65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop) 工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FDM1P7-IGBT模块

SGT70N65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop )工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。.

士兰微SGT60N60FD1 PN/P7/PS/PT-IGBT功率模块

SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止( FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTP5T60SD1D/F/S

SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

40A、1200V绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTQ40T120SDB2P7

SGTQ40T120SDB2P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop IV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。