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7A, 650V超结MOS功率管-SVS7N65F/D/MJ
SVS7N65F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS7N65F应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。.
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83A, 600V超结MOS功率管-SVSP60R033P7HD4
SVSP60R033P7HD4 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVSP60R033P7HD4 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
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14A、100V N沟道增强型场效应管-SVT10111ND
SVT10111ND N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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80A、60V N沟道增强型场效应管-SVT068R5NT/D/S/L5
SVT068R5NT/D/S/L5 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用先进的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统电源管理。
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60A、30V N沟道增强型场效应管-SVT03100NDN
SVT03100NDN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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100A、30V N沟道增强型场效应管-SVT035R5ND
SVT035R5ND(MJ)(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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120A、30V N沟道增强型场效应管-SVT034R6ND(T)
SVT034R6ND(T) N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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180A、100V N沟道增强型场效应管SVGP103R0NT(P7)
SVGP103R0NT(P7) N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用 士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有 较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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240A、150V N沟道增强型场效应管-SVGP153R8NP7
SVGP153R8NP7 N 沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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120A、80V N沟道增强型场效应管-SVG083R4NT(S)(P7)
SVG083R4NT(S)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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305A、100V N沟道增强型场效应管-SVGP101R8NP7-2HS
SVGP101R8NP7-2HS N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60FD1P7-IGBT模块
SGT40N60FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用穿通工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应.用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。
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40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60F2P7-IGBT模块
SGT40N60F2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第二代场截止(Field Stop II)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。
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40A, 600V绝缘栅双极型晶体管SGT40N60FD2PN-IGBT模块
SGT40N60FD2PN(P7)(PT)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止( Field Stop II)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。
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160A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT160V65S1PW-IGBT模块
SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于车驱,UPS,SMPS等领域。
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40A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGTP40V120FDB2P7-IGBT模块
SGTP40V120FDB2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS以及PFC等领域。
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60A、650V绝缘栅双极型晶体管 SGT60U65FD1PN(PT)(P7)-IGBT模块
SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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25A、1200V绝缘栅双极型晶体管SGT25U120FD1P7-IGBT单管
SGT25U120FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4Plus (Field Stop IV+)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS, SMPS以及PFC等领域。
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75A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT75T65SDM1P7-IGBT模块
SGT75T65SDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截 止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可 应用于 UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。
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50A、650V绝缘栅双极型晶体管SGT50T65SDM1P7-IGBT模块
SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop I)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
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